「エッジAI半導体を実現する3Dヘテロ集積技術」プロジェクトを開始 －JST「次世代エッジAI半導体研究開発事業」に採択－

「エッジAI半導体を実現する3Dヘテロ集積技術」プロジェクトを開始－JST「次世代エッジAI半導体研究開発事業」に採択－

2025年12月18日 11:00 | プレスリリース?研究成果

【本学研究者情報】

〇医工学研究科　教授　田中徹
研究室ウェブサイト

〇工学研究科　教授　田中秀治
研究室ウェブサイト

【発表のポイント】

科学技術振興機構（JST）の公募事業「次世代エッジAI半導体研究開発事業」のテーマ②「3D集積技術」に本学からの提案が採択されました。
北海道大学、東京大学、熊本大学、および民間企業7社と共同で、エッジAI半導体などの実現に必要な超並列高速アセンブリ積層技術、高信頼低温接合技術、ハイブリッドインターポーザ技術、マルチスケール高放熱技術などを研究開発し、それらの社会実装を目指します。

【概要】

半導体集積回路の高性能化?高機能化?歩留まり向上に、複数の半導体チップや光素子の高密度集積化が益々重要になっています。

超低消費電力等の革新的な次世代エッジAI半導体に必要となる設計、製造、材料などの技術を産学連携で研究開発する科学技術振興機構（JST）の公募事業「次世代エッジAI半導体研究開発事業」において、テーマ②「3D集積技術」に本学からの提案が採択されました。

東北大学は本プロジェクトにおいて、北海道大学、東京大学、熊本大学、および民間企業7社と共同で、エッジAI半導体、超低消費電力半導体、さらに量子デバイスを含む次世代情報処理デバイスを実現するために必要な3次元ヘテロ集積基盤技術を産学共同で研究開発します。

本プロジェクトの遂行にあたっては、超並列高速アセンブリ技術開発グループ、異種材料低温ハイブリッド接合?インターポーザ技術開発グループ、およびフォノン制御によるマルチスケール放熱技術開発グループを組織します。さらに、本プロジェクト推進体を基盤として、半導体先端パッケージングに関する研究開発拠点の形成を目指します。