大容量MRAMを搭載したエッジ領域向け「CMOS／スピントロニクス融合AI半導体」により従来比10倍以上の電力効率をシステム動作シミュレーションで確認

2024年10月11日 10:00 | プレスリリース?研究成果

【本学研究者情報】

〇電気通信研究所　所長?教授　羽生貴弘
国際集積エレクトロニクス研究開発センター　センター長?教授　遠藤哲郎
国際集積エレクトロニクス研究開発センター　教授　池田正二
国際集積エレクトロニクス研究開発センター　教授　吉川　浩
電気通信研究所　准教授　夏井雅典

【概要】

NEDOは「省エネAI半導体及びシステムに関する技術開発事業」（以下、本事業）において、エッジ領域に適した半導体デバイスの早期実現を目指して、開発を進めています。このたび、国立大学法人東北大学と株式会社アイシンは、大容量MRAMを搭載したエッジ領域向け「CMOS／スピントロニクス融合AI半導体」により従来比10倍以上の電力効率をシステム動作シミュレーションで確認しました。磁気抵抗メモリ（MRAM）の不揮発性と広バス帯域の特性を活用し、大容量のMRAMを搭載して外付けメモリの合理的な内蔵化を図ることにより、動作時および待機時電力の大幅低減、起動時間の短縮が可能になります。RTLでのシステム動作シミュレーションの検証では、従来比で電力効率10倍以上、起動時間10分の1以下の改善効果を確認しました。今後は、車載やサーベイランス（監視）システムなどへの応用技術開発を進めます。

また、本事業の成果について、2024年10月15日から10月18日まで幕張メッセで開催される「CEATEC2024」のNEDOブースに展示します。