【概要】

　国立大学法人東北大学（以下、本学）は、国立研究開発法人新エネルギー?産業技術総合開発機構（NEDO）「ポスト 5G 情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発」において、技術研究組合最先端半導体技術センター（LSTC）が提案した「Beyond 2nm 及び短TAT半導体製造に向けた技術開発」が採択されたことを受け、本事業に参画することをお知らせします。

　「Beyond 2nm 及び短TAT半導体製造に向けた技術開発」においては、2nm 世代よりもさらに高性能な半導体の実現のため、「Beyond 2nm 向けデバイス?材料?プロセス要素技術および短 TAT?クリーンプロセス装置技術」を開発します。この技術が実現すれば、半導体の一段の高性能化に加え、半導体製造期間の短縮が可能となります。

　本学は、「1nm以細に拡張可能な Beyond 2nmデバイスプロセス要素技術開発」および「Beyond 2nm半導体の応用範囲拡大を可能とする短TAT?クリーンプロセス装置技術開発」の事業に参画いたします。

　詳細につきましては、下記のウェブサイトをご覧ください。

詳細（プレスリリース本文）

関連リンク

• 経済産業省ウェブサイト
• NEDOウェブサイト
• LSTCウェブサイト

問い合わせ先

半導体テクノロジー共創体
産学連携部　福田　倫之
Email: semicon.tu*grp.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）