北陸先端科学技術大学院大学の酒井平祐先生にご講演いただきます。

リチウムイオン内包フラーレンを電荷保持層に応用した有機電界効果トランジスタ型メモリーの開発

我々は有機トランジスタ構造をベースとしたメモリー素子を開発してきた。最近、リチウムイオン内包フラーレンを有機トランジスタの絶縁層へ電荷保持層として導入すると、素子にメモリー特性が発現することを発見した。これは金属を内包していないフラーレンを導入しても発現しない効果であることから、リチウムイオン内包フラーレンが素子のメモリー性の発現に寄与していることを示唆する結果である。本講演では、有機トランジスタの動作メカニズムについても触れながら、この素子の動作特性について紹介し、今後のリチウムイオン内包フラーレンの有機デバイスへの応用展開について展望したい。

日時：2017年4月28日（金）16:00～17:30

場所：理学研究科合同C棟2階、C201、青葉サイエンスホール（H-04）
　理学部キャンパスマップ
　スマホでの閲覧に便利なアクティブマップ

事前申込は不要でどなたでも参加いただけます。

• 詳細（未来科学技術共同研究センターウェブサイト）

問い合わせ先

理学研究科
准教授　權 垠相
TEL：022-795-6752
E-mail：ekwon*m.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）