東北大学?原子分子材料科学高等研究機構（AIMR）および流体科学研究所(IFS)の寒川誠二教授の研究グループは、次世代のデバイスといわれるMRAMの実用化に道を拓く技術として、酸化と金属錯体反応を同時に実現する装置を開発することで、これまで困難であった遷移金属や磁性体膜の高精度で超低損傷なエッチングに世界で初めて成功しました。

本研究成果は、2014年6月9日-12日に開催される2014年VLSIテクノロジー回路シンポジウム（2014 International Symposium on Technology and Circuit）にてSession 6.5で谷勛（Xun Gu）博士から発表されます。

詳細（原子分子材料高等研究機構ウェブサイト）

プレスリリース本文

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