東北大学大学院理学研究科の高山あかり大学院生と東北大学原子分子材料科学高等研究機構の高橋隆教授、大阪大学産業科学研究所の小口多美夫教授らの研究グループは、次世代のスピントロニクスデバイス）の動作メカニズムとして注目されている「ラシュバ効果」）が、半導体と金属の界面（接合面）で起きていることを突き止めました。観測は、世界最高の分解能を持つ超高分解能スピン分解光電子分光装置を用い、ビスマス薄膜の電子スピン注3)状態を詳しく調べることで行われました。今回の発見は、半導体電子デバイスと同様に、物質の接合面を利用した次世代のスピントロニクスデバイスの開発に大きく道を開くものです。

　本研究成果は、4月11日付けの米国化学会誌 Nano Lettersに掲載される予定です。

詳細（プレスリリース本文）

高山 あかり (博士後期課程3年)

東北大学大学院理学研究科

Tel：022-217-6169

E-mail：a.takayama*arpes.phys.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）

高橋 隆 教授

東北大学原子分子材料科学高等研究機構（大学院理学研究科兼任）

Tel：022-795-6417

E-mail：t.takahashi*arpes.phys.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）