東北大学電気通信研究所の吹留博一助教らは、シリコン(Si)基板の面方位による、Si基板上に成長させた次世代電子材料グラフェン(GOS)の多機能化(金属性?半導体性の切り分け)に成功し、GOSを用いたトランジスタの集積化も可能であることを示しました。

　現在の半導体集積技術を用いてグラフェンの多機能化?集積可能性を示した ことは、グラフェンの多機能集積回路への道を拓いたという意味で、画期的な成果です。

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東北大学電気通信研究所 　　　　　

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