東北大学原子分子材料科学高等研究機構の 川崎 雅司 教授は、ローム株式会社および同大学金属材料研究所と多元物質科学研究所と共同で、半導体素子製造の汎用技術である分子線エピタキシー（MBE）法を用いて酸化亜鉛（ZnO）系紫外発光ダイオード（LED）の作製とその高輝度化に成功しました。今回の素子には導電性ZnO基板が使用されており、今後の安価な短波長発光素子応用につながる成果と言えます。

LEDは半導体素子の1つで、p型とn型に導電性制御された半導体の積層構造で構成されています。この素子に電流を印加することで半導体の禁制帯幅と同じエネルギーの光へと変換することができます。近年では、窒化ガリウム（GaN）系青色LEDと蛍光体を利用した白色LEDが液晶ディスプレイのバックライトや照明用光源として利用され、ブラウン管や蛍光灯に比べて大幅な省電力化が可能になっています。

本研究グループは今回、市販の導電性ZnO基板上でMBE法を駆使してMgZnOのp型化す（CREST）の「ナノ界面技術の基ることに成功し、紫外LEDの輝度の大幅な改善を達成しました。本研究は、JST 戦略的創造研究推進事業の一環として行われ、米国学術誌「Applied Physics Letters」のオンライン版で近日中に公開されます。

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