東北大学金属材料研究所の米永一郎教授の研究グループは、半導体ゲルマニウムの結晶成長に斬新な方法を考案し、欠陥のない高品質結晶の育成に成功しました。従来、結晶育成時に融液の表面に酸化ゲルマニウムと呼ばれる異物が発生し、そのため育成した結晶は高密度の転位と呼ばれる欠陥を含んでいました。その問題について、融液での元素反応と物性を厳密に検討し、酸化ホウ素で融液表面の一部を覆うことでその酸化ゲルマニウムを完全除去する非常に簡便でエレガントな方法を考案し、無転位で高品質の結晶を育成しました。

  ゲルマニウムは、次世代高速電子デバイスや太陽電池の基板材料として期待されています。今回発見した酸化ホウ素を加えることによる転位の発生を抑制する方法は、長寿命で誤動作のない高速デバイスの生産や太陽電池の高効率エネルギー変換などを支えるゲルマニウム結晶の経済的な育成として、エレクトロニクス及びエネルギー分野の発展に寄与するものです。

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